Aluno:_________________________________________________________CPF:__________________
1. A memória DRAM TMS4116 mostrada na Fig.1 deve ser expandida para formar um banco de memórias com a capacidade igual DxW palavrasXbits, onde D é a profundidade, em K, e W é a largura em bits. Considere que D é igual ao quadrado do segundo maior digito do seu CPF e W é igual 4 vezes o segundo menor digito do seu CPF. Então, determine os seguintes parametros do banco(expansão) de memórias:
Solução
Fig.1
Seu CPF = ______________________________
segundo maior digito = _____________
segundo menor digito = _____________
Capacidade do banco de memórias: DxW = _____________palavrasXbits
(a)Quantidade necessária de chips TMS4116 :_______________
(b)Quantidade de bits de endereços do banco de memórias:___________
(c)Endereço inicial do banco de memórias:_________HEXA
(d)Endereço final do banco de memórias:___________HEXA
(e)Capacidade do banco de memórias, em kilobits:________Kb
Valor da questão = 5
Cada
ítem completamente correto = 1
2.Um circuito seqüêncial apresenta o diagrama de estados mostrado na Fig.2 abaixo. A FSM tem um entrada X e uma saída Z síncronas. Considerando que a entrada X é igual a seqüência de bits dos quatro dígitos mais significativos do número de seu CPF, em código BCD, desenhe a forma de onda da saída Z. Considere que o bit mais siginificativo é o primeiro valor de X na sequência e a FSM está no Estado a, inicialmente.
Solução
Fig.2
Seu CPF:______________________________
Quatro dígitos mais significativos do seu CPF = ___________
X = _______________________________________________(bin)
Valor da questão = 5
Forma de onda de X correta = 2
Forma de onda de Z correta = 3
