Aluno:_________________________________________________________CPF:__________________

 

 

 

 

1. A memória DRAM TMS4116 mostrada na Fig.1 deve ser expandida para formar um banco de memórias com a capacidade igual DxW palavrasXbits, onde D é a profundidade, em K, e W é a largura em bits. Considere que D é igual ao quadrado do segundo maior digito do seu CPF e W é igual 4 vezes o segundo menor digito do seu CPF. Então, determine os seguintes parametros do banco(expansão) de memórias:
Solução

 


Fig.1

 

A memória DRAM TMS4116 tem entradas de endereços A6A5A4A3A2A1A0, então a DRAM TMS4116 tem 14 bits de endereços: 7-bits endereços de linhas e 7-bits endereços de colunas;

A memória DRAM TMS4116 tem uma entrada de dados(D) e uma saída de dados(Q), ou seja, cada locação tem um bit;

Então, a capacidade total da DRAM TMS4116 é igual a 16Kx1 palavrasXbit;

Seja CPF igual 012.345.678-99, então o segundo maior dígito do CPF é igual a 8, assim, a capacidade do banco D será igual a D = 8x8K = 64K palavras;

O segundo menor dígito do CPF é igual a 1, então a largura da palavra W será igual a W = 4x1 = 4bits;

Assim, a capacidade(organização) total do banco = DxW palavrasXbits = 64Kx4 palavrasXbits;

Quantidade necessária de chips TMS4116 é igual a capacidade(organização) total do banco dividida pela capacidade total da DRAM TMS4116, ou seja:

Quantidade de chips TMS4116 = (64Kx4)/(16Kx1) = 16 chips

Quantidade de bits de endereços do banco de memórias é igual a 16 bits de endereços pois 64K = 2ˆ6x2ˆ10;

Endereço inicial do banco de memórias: A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 = 0000.0000.0000.0000 = 0000H

Endereço final do banco de memórias: A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 = 1111.1111.1111.1111 = FFFFH

Capacidade do banco de memórias, em kilobits: 64KX4 = 256Kbits

Veja que suas respostas dependem dos dígitos do seu CPF.

 

(a)Quantidade necessária de chips TMS4116 :____16 chips____

(b)Quantidade de bits de endereços do banco de memórias:_____16 bits_____

(c)Endereço inicial do banco de memórias:___0000____HEXA

(d)Endereço final do banco de memórias:___FFFF____HEXA

(e)Capacidade do banco de memórias, em kilobits:___256____Kb

Capacidade do banco de memórias: DxW = _____64Kx4______palavrasXbits

 

 

Valor da questão = 5
Cada ítem completamente correto = 1

 

 

 

 

2.Um circuito seqüêncial apresenta o diagrama de estados mostrado na Fig.2 abaixo. A FSM tem um entrada X e uma saída Z síncronas. Considerando que a entrada X é igual a seqüência de bits dos quatro dígitos mais significativos do número de seu CPF, em código BCD, desenhe a forma de onda da saída Z. Considere que o bit mais siginificativo é o primeiro valor de X na sequência e a FSM está no Estado a, inicialmente.
Solução

 

estados
Fig.2

 

Seu CPF:__123.456.789-00__

Quatro dígitos mais significativos do seu CPF = _1234_

X = _0001001000110100_(bin)

 

sist_2ee_questao2_solucao_fig2

 

Valor da questão = 5
Forma de onda de X correta = 2
Forma de onda de Z correta = 3

 

 

 

Atualizada em 11/01/22

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