Fig.1
ENDEREÇO(HEXA) |
CPF | O7O6O5O4 |
O3O2O1O0 |
Fig.2
3. Para o banco de memórias mostrado na Fig.3, suponha que a memória EPROM 8X8-palavrasXbits está gravada nos 8 endereços(0 até 7, hexa) com 8 palavras iguais à representação ASCII dos 8 dígitos mais significativos do seu CPF, paridade ímpar, do mais significativo para o menos significativo, que são disponibilizadas nas saídas Q7Q6Q5Q4Q3Q2Q1Q0.
Os bits A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 são iguais à representação BCD dos quatro dígitos mais significativos do seu CPF(para CPF ímpar) e iguais à representação BCD dos quatro dígitos menos significativos do seu CPF(para CPF par).
Sabendo que o banco de memória está gravado conforme abaixo, diga qual o chip de memória RAM selecionado e então determine os dados D7D6D5D4D3D2D1D0 presentes no barramento de dados, em binário.
Module-3 gravado com a representação hexadecimal dos dois dígitos menos significativos do seu CPF
Module-2 gravado com a representação hexadecimal dos dois dígitos mais significativos do seu CPF
Module-1 gravado com a representação hexadecimal dos dois maiores dígitos do seu CPF
Module-0 gravado com a representação hexadecimal dos dois menores dígitos do seu CPF
Solução
Fig.3
CPF | ||||||||
Endereço EPROM | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
Q7Q6Q5Q4Q3Q2Q1Q0 | ||||||||
Conteúdo da RAM | Mod-3 | Mod-2 | Mod-1 | Mod-0 | ||||
A15~ A0 | ||||||||
RAM Habilitada | ||||||||
Saidas D7D6D5D4D3D2D1D0 |
4. A memória dinâmica RAM TMS44100 mostrada na Fig.4 deve ser expandida para formar um banco de memórias com a capacidade igual DxW palavrasXbits, onde D é a capacidade, em M, e W é o tamanho da palavra em bits.
Considere que D é igual ao quadrado do segundo maior digito do seu CPF e W é igual 8 vezes o terceiro menor digito do seu CPF. Então, determine os seguintes parâmetros do banco(expansão) de memórias: quantidade necessária de chips TMS44100 e número de bits de endereços do banco de memórias.
Solução
Fig.4
Atualizada em