1. A memória DRAM TMS4116 mostrada na Fig.1 deve ser expandida para formar um banco de memórias com a capacidade igual DxW palavrasXbits, onde D é a profundidade, em K, e W é a largura em bits. Considere que D é igual ao quadrado do segundo maior digito do seu CPF e W é igual 4 vezes o segundo menor digito do seu CPF. Então, determine os seguintes parametros do banco(expansão) de memórias:
Solução
Fig.1
(a)Quantidade necessária de chips TMS4116 :_______________
(b)Quantidade de bits de endereços do banco de memórias:___________
(c)Endereço inicial do banco de memórias:_________HEXA
(d)Endereço final do banco de memórias:___________HEXA
(e)Capacidade do banco de memórias, em kilobits:________Kb
Capacidade do banco de memórias: DxW = _____________palavrasXbits
2.Os conteúdos dos primeiros 16 endereços da EPROM TMS2732 estão indicados na tabela da Fig.2. Considere que as locações vazias têm os dois dígitos mais siginificativos de seu número de CPF, em HEXA, então
(a) Complete a tabela de dados gravados na EPROM.
(b)Desenhe as formas-de-onda dos sinais dos pinos D2 e D6 para os primeiros 16 pulsos de clock.
(c)Desenhe as formas-de-onda dos sinais dos pinos #CE e #OE/Vpp para a memória funcionar adequadamente?
Solução
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Fig.2
3. A Fig.3 mostra duas RAMs associadas em um banco de memória. Cada chip RAM tem 19 pinos de endereços, dois pinos de habilitação e quatro pinos de dados. Sabendo que as entradas de endereços A19A18A17A16A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 são iguais `a representação BCD dos 5 números mais significativos do seu CPF, sinal Control bus está baixo(0), a RAM 1 está gravada com número mais significativo e RAM 2 com o número menos significativo do número de controle do seu CPF, em BCD, responda:
(a) Capacidade total do banco de memória, em megabits(Mb).____________________________
(b)
A faixa de endereços,
em HEXA, da RAM cujas saídas de dados estão em Hi-Z: endereço inicial e final._______________e_______________
(c)Os valores binários dos pinos de dados DI/O3DI/O2DI/O1DI/O0. _______________________
(d) A faixa de endereços,
em HEXA, da RAM acessada: endereço inicial e final.__________________e__________________
(e) Memória RAM acessada._______________________________
Solução
Fig.3
4.O circuito da Fig.4 mostra um conversor analógico-digital monitorando a tensão CC(VB) de uma bateria de 0 a 15Vcc. A saída do conversor fornece um número binário de quatro bits DCBA, que corresponde `a tensão da bateria em degraus de 1V, onde A é o dígito menos significativo. As saídas binárias DCBA do conversor são entradas de um circuito lógico que gera saídas abcdefg e a`b`c`d`e`f`g` em código 7-segmentos para dois displays A(dezena) e B(unidade) que mostram a tensão VB da bateria. Utilizando o PLD mostrado, programe o circuito lógico detetor da tensão da bateria, considerando as seguintes condições:
(a)Seu CPF é par, então os displays devem indicar para VB menor que 4Vcc e VB maior que 12Vcc, as duas letras dos seus sobrenomes, e mostrar o valor da tensão quando VB for de 4Vcc a 12Vcc;
(b)Seu CPF é ímpar, então os displays devem indicar para VB menor que 5Vcc e VB maior que 13Vcc as duas letras dos seus sobrenomes, e mostrar o valor da tensão quando VB for de 5Vcc a 13Vcc;
Solução
| Seu CPF(Decimal) | ||||||||||||
| Endereço da ROM | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | A | B |
| Conteúdo(BCD) | ||||||||||||
| Saidas O3O2O1O0 |
CHIP |
END. INICIAL(H) | END. FINAL(H) |
|
| PROM-0 | |||
| PROM-1 | |||
| RAM | |||
| EEPROM |
Atualizada em
