Sistemas Digitais - Memórias de Acesso Aleatório

Memórias de Acesso Aleatório(Random Access Memories - RAMs)

As memórias RAMs são empregadas para armazenamento temporário de programas e dados.

Principal vantagem: operações de leitura/escrita com iguais facilidades.

Principal desvantagem: volatilidade.

RAMs são encontradas nas capacidade: 1K, 4K, 8K, 16K, 128K, 256K, 1M, 2M, 4M, 8M, 16M, 32M, 64M, 128M, 256M, 512M, 1G, 2G, 4G, 8G, 16G, 32Gb, 64Gb e 128Gb.
RAMs apresentam palavras de 1, 4, 8, 16, 32 bits.

Para economizar pinos na periferia do CI, as memórias RAMs combinam o pino de entrada/saída de dados em um único pino.


Fig.1
Operação de Leitura:	Operação Seleciona Circuito:
	Todas as entradas/saídas em Hi-Z
Operação de Escrita:	Memória está desselecionada
	Memória está selecionada

Memórias SRAMs armazenam os dados enquanto a tensão de alimentação estiver aplicada ao circuito integrado. A célula de memória pode ser um latch ou flip-flop.

Tecnologias de SRAMs: Bipolar, MOS e BiCMOS.

Tecnologias mais usuais: NMOS e CMOS.

As SRAMs bipolares são mais rápidas, enquanto as MOS apresentam menor custo e maior capacidade.

A nomenclatura dos parâmetros varia de fabricante para fabricante.

fig7

Fig.2

Parâmetro	Definição
t₀	instante de aplicação do novo endereço
t₁-t₀=t_ACC	Tempo de Acesso é o intervalo de tempo entre a aplicação de um novo endereço e a colocação de dados válidos nas saídas.
t_CO	tempo entre a ativação do sinal seleciona circuito e as saídas irem de Hi-Z para dados válidos.
t_OD	tempo entre a desabilitação do sinal seleciona circuito e as saídas de dados se tornarem inválidas.
t_RC	tempo do ciclo de leitura, t₀ até t₄, enquanto o endereço fica válido.

Parâmetro	Definição
t_AS	tempo de preparação do endereço
t_W	intervalo de tempo de escrita
t_DS	tempo de setup(preparação)
t_DH	tempo de retenção
t_AH	tempo de retenção de endereço
t_WC	tempo do ciclo de escrita